Indeks English versionEnglish version

Casio PB-2000C - opis sprzętu

Mikroprocesor

Na tej stronie opisane są tylko szczegóły charakterystyczne dla PB-2000C. Ogólniejsze informacje na temat mikroprocesora i magistrali są dostępne w opisie sprzętu PB-1000.

Zakresy adresów dekodowane przez wyjścia chip select

CS0: &H10000..&H17FFF, wewnętrzna pamięć RAM 32kB
CS1: &H18000..&H1FFFF, wewnętrzne rozszerzenie pamięci RAM 32kB oraz domyślny zakres adresów dla modułu rozszerzenia pamięci RP-33 (otwarta zworka 4, zalutowana zworka 5)
CS2: &H28000..&H3FFFF, alternatywny zakres adresów wybierający moduł RP-33 (gdy jest otwarta zworka 5 a zalutowana zworka 4)
CS3: &H30000..&H3FFFF, nie używane
CS4: &H00D90..&H0FFFF, nie używane
CS5: &H04000..&H05FFF, złącze dodatkowych urządzeń
CS6: &H00C10..&H00C11, gate array (rejestry konfiguracji pamięci)
CS7: &H00C00..&H00C0F, gate array (wyłączone adresy), interfejs portu szeregowego, drukarki i stacji dysków elastycznych

Funkcja poszczególnych bitów portu 8-bitowego

P7..P6 sterują głośniczkiem piezoelektrycznym
P5 jest wyjściem reset dla urządzeń peryferyjnych
P4 załącza zasilanie interfejsu FDD, 0 gdy włączone
P3 wybiera kierunek transferu FDD, 1 gdy zapis do interfejsu FDD, 0 gdy odczyt z interfejsu FDD
P2 jest wejściem sygnału potwierdzenia wyboru kierunku transmisji interfejsu FDD
P1 wykrywa obecność karty (niski poziom napięcia gdy karta jest włożona)
P0 wybiera wersję językową, może być połączony za pomocą zworki do VSS (wersja angielska PB-2000C) lub GND (wersja japońska AI-1000)


Gate array

gate array

Funkcje końcówek

Końcówka Symbol Funkcja
1ROM0 wyjście chip select wybierające wbudowaną pamięć ROM z interpreterem języka C, aktywny niski poziom, dekoduje zakres adresów &H00000..&H0FFFF z wyłączeniem segmentów dekodowanych przez wyjścia ROM2 i ROM3
2ROM1 nie używane, dekoduje stały zakres adresów &H10000..&H2FFFF
3ROM2 steruje końcówką 20 złącza karty pamięci, dekodowany zakres adresów zależy od rejestru &H00C10
4ROM3 steruje końcówką 33 złącza karty pamięci, dekodowany zakres adresów zależy od rejestru &H00C11
5power sense dostaje wysoki poziom napięcia z układu monitora baterii S8054ALR gdy obecne jest prawidłowe napięcie zasilające
6power switch dostaje niski poziom napięcia gdy wyłącznik jest w pozycji ON oraz zatrzaśnięta karta pamięci
7VSS minus zasilania
8SW wyjście steruje końcówką mikroprocesora 36, niski poziom napięcia załącza system
9inverted VDD wejście odczytujące stan końcówki mikroprocesora 33 poprzez inwerter zbudowany na tranzystorze pnp
10CS7 niski poziom napięcia na tym wejściu blokuje sygnały ROM0..ROM3, służy do pominięcia z przestrzeni adresowej zakresu adresów &H00C00..&H00C0F zajętych przez interfejs FA-7/FD-100
11CS6 wejście chip enable dla rejestrów konfiguracji pamięci, dostaje niski poziom z CPU w zakresie adresów &H00C10..&H00C11, niski poziom na tym wejsciu blokuje sygnały ROM0..ROM3
12..19IO0..IO7 dwukierunkowa szyna danych
20WR sygnał strobu zapisu, aktywny niski poziom
21GND plus zasilania
22RD sygnał strobu odczytu, aktywny niski poziom
23OE sygnalizuje ważne dane
24VEXT control niski poziom na tym wyjściu załącza zasilanie wyświetlacza LCD
25..28A0, A15..A17 szyna adresowa

Rejestry konfiguracji pamięci - funkcja poszczególnych bitów

bit rejestru dekodowana kombinacja bitów adresu dekodowany zakres adresów
0
1
2
3
4
5
6
7
A17..A15 = 000
A17..A15 = 001
A17..A15 = 010
A17..A15 = 011
A17..A15 = 100
A17..A15 = 101
A17..A15 = 110
A17..A15 = 111
&H00000..&H07FFF
&H08000..&H0FFFF
&H10000..&H17FFF
&H18000..&H1FFFF
&H20000..&H27FFF
&H28000..&H2FFFF
&H30000..&H37FFF
&H38000..&H3FFFF

Rzeczywisty dekodowany zakres adresów pierwszego segmentu pamięci jest ograniczony do &H00C12..&H07FFF. Adresy &H00C00..&H00C11 są wykluczone, a CPU nigdy nie umieszcza adresów poniżej &H00C00 na zewnętrznej szynie adresowej.

Ze względu na konflikt z pamięcią RAM w banku 1 nie należy ustawiać bitów 2 i 3 rejestru konfiguracji.

Przykładowe konfiguracje pamięci

Configuration word = &H0000
Konfiguracja używana przez wewnętrzny interpreter języka C. Sygnały chip select ROM2 i ROM3 są nieaktywne. Wbudowana pamięć ROM zajmuje bank 0.
Configuration word = &H0003
Konfiguracja używana przez kartę OM-53B z interpreterem języka BASIC. Wyjście chip select ROM2 wybiera kartę BASIC w banku pamięci 0. Wbudowana pamięć ROM z interpreterem C jest nieaktywna.
Configuration word = &H0010
Konfiguracja używana przez system przy instalacji karty. Wyjście chip select ROM2 wybiera kartę w banku pamięci 2, co umożliwia dostęp do danych poniżej lokacji &H0C12.
Configuration word = &H0043
Konfiguracja używana przez kartę kompilatora DL-Pascal. Dolna połowa pamięci ROM karty jest dodatkowo widziana również w banku 3 w celu umożliwienia dostępu do danych poniżej lokacji &H0C12.

Gniazdo karty pamięci

  01 - VSS        16 - IO5        31 - A17
  02 - A12        17 - IO6        32 - GND
  03 - A7         18 - IO7        33 - ROM3
  04 - A6         19 - GND        34 - GND
  05 - A5         20 - ROM2       35 - GND
  06 - A4         21 - A10        36 - NC
  07 - A3         22 - RD         37 - NC
  08 - A2         23 - A11        38 - NC
  09 - A1         24 - A9         39 - NC
  10 - A0         25 - A8         40 - NC
  11 - IO0        26 - A13        41 - NC
  12 - IO1        27 - WR         42 - NC
  13 - IO2        28 - A14        43 - NC
  14 - IO3        29 - A15        44 - P1
  15 - IO4        30 - A16        45 - GND

pin 20 - ROM2 chip enable (gate array pin 3)
pin 33 - ROM3 chip enable (gate array pin 4)
pin 44 - port P1 mikroprocesora, wykrywa obecność karty, połączone z VSS wewnątrz karty


Taśma łącząca wyświetlacz z mikroprocesorem

taśma połączeniowa

VEXT jest napięciem zasilającym wyświetlacz ok. -7V


Klawiatura

Kolumny matrycy klawiatury są wybierane przez 12-bitowy port wyjściowy KO, sterowany za pomocą rejestru IA. Wciśnięty klawisz łączy wybraną kolumnę z jednym z wierszy. Linie wierszy są odczytywane przez 12-bitowy port wejściowy KI, dostępny poprzez rejestr KY.

układ klawiatury

Relacja pomiędzy bitami rejestru KY a wierszami klawiatury:

funkcje bitów rejestru KY


Złącze modułu rozszerzenia pamięci RAM

GND jest plusem zasilania, VSS jest minusem zasilania.

złącze modułu rozszerzenia pamięci RAM


Złącze urządzeń peryferyjnych

GND jest plusem zasilania, VSS jest minusem zasilania.

złącze urządzeń peryferyjnych